Beth yw GaN a pham mae ei angen arnoch chi?

Beth yw GaN a pham mae ei angen arnoch chi?

Mae Gallium nitride, neu GaN, yn ddeunydd sy'n dechrau cael ei ddefnyddio ar gyfer lled-ddargludyddion mewn gwefrwyr. Fe'i defnyddiwyd i wneud LEDs gan ddechrau yn y 90au, ac mae hefyd yn ddeunydd poblogaidd ar gyfer araeau celloedd solar ar loerennau. Y prif beth am GaN o ran gwefrwyr yw ei fod yn cynhyrchu llai o wres. Mae llai o wres yn golygu y gall cydrannau fod yn agosach at ei gilydd, felly gall gwefrydd fod yn llai nag erioed o'r blaen - wrth gynnal yr holl alluoedd pŵer a safonau diogelwch.

Beth mae charger yn ei wneud mewn gwirionedd?

Rydym yn falch eich bod wedi gofyn.

Cyn i ni edrych ar GaN y tu mewn i charger, gadewch i ni edrych ar yr hyn y mae charger yn ei wneud. Mae gan bob un o'n ffonau clyfar, tabledi a gliniaduron fatri. Pan fydd batri yn trosglwyddo pŵer i'n dyfeisiau, adwaith cemegol yw'r hyn sy'n digwydd mewn gwirionedd. Mae gwefrydd yn cymryd cerrynt trydanol i wrthdroi'r adwaith cemegol hwnnw. Yn y dyddiau cynnar, roedd chargers newydd anfon sudd i fatri yn gyson, a allai arwain at or-godi tâl a difrod. Mae gwefrwyr modern yn cynnwys systemau monitro sy'n gostwng y cerrynt wrth i fatri lenwi, sy'n lleihau'r posibilrwydd o godi gormod.

Mae'r gwres ymlaen:
Mae GaN yn disodli silicon

Ers yr 80au, mae silicon wedi bod yn ddeunydd go-to ar gyfer transistorau. Mae silicon yn dargludo trydan yn well na deunyddiau a ddefnyddiwyd yn flaenorol - fel tiwbiau gwactod - ac yn cadw costau i lawr, gan nad yw'n rhy ddrud i'w gynhyrchu. Dros y degawdau, mae gwelliannau i dechnoleg wedi arwain at y perfformiad uchel rydyn ni'n gyfarwydd ag ef heddiw. Dim ond mor bell y gall dyrchafiad fynd, a gall transistorau silicon fod yn agos at cystal ag y maent yn mynd i'w gael. Mae priodweddau deunydd silicon ei hun cyn belled â throsglwyddo gwres a thrydan yn golygu na all y cydrannau fynd yn llai.

Mae GaN yn wahanol. Mae'n ddeunydd tebyg i grisial sy'n gallu dargludo folteddau llawer uwch. Gall cerrynt trydanol basio trwy gydrannau a wneir o GaN yn gyflymach na silicon, sy'n arwain at brosesu hyd yn oed yn gyflymach. Mae GaN yn fwy effeithlon, felly mae llai o wres.